双波段发射率测试仪 远红外线分析仪采用反射率法的测试原理，即通过采用主动黑体辐射源测定待测物表面的法向反射率，进而测出其在特定红外波段的法向发射率。

双波段发射率测试仪 远红外线分析仪

产品编号：TC-003402

双波段发射率测试仪 、远红外线测试仪采用反射率法的测试原理，即通过采用主动黑体辐射源测定待测物表面的法向反射率，进而测出其在特定红外波段的法向发射率。该仪器可测量常温样品在3～5um、8～14um、1～22um三个波段发射率。对特殊需要的用户，通过的控温加热装置，在常温至300℃温度范围加热样品，进行发射率变温测量。该仪器主要用于军事装备的红外隐身、红外烘烤、建材、纸张、纺织等行业对材料红外辐射特性的测量研究。目前已在西北核技术所，东南大学等单位使用。
双波段发射率测试仪 远红外线分析仪仪器特点：
1．仪器中有小型标准黑体辐射源，采用六位高精度微机控温仪（能显示到1mk），使仪器不仅具有稳定的宽光谱测量范围，而且大地提高了仪器在测量时的可靠性和稳定性。
2．采用了*的光学调制技术，使测量不受被测物表面辐射及环境辐射的影响。
3．在仪器设计中，考虑到样品漫反射引起的测量误差，除镜反射（MR）探测通道外，还增设了专门的漫反射（DR）补偿通道，从而确保了仪器的测量精度。
4．在信号及电子学处理技术上采用锁相技术和微电子技术，较好地实现了对微弱信号的探测，进一步提高了仪器性能。
5．本仪器操作简单、使用方便、测量快速。
6．可按需更换滤光片，在多个红外光谱波段内进行测试。
7．在测量过程中不损伤被测样品。
8．本仪器带RS-232串口及复位键RST。
主要技术指标 
1．测量波段：3～5um、8～14um、1～22um  
（若用户有特殊要求，可定制不同波段滤光片）
2．发射率测量范围：0.1～0.99
3．灵敏度NE△ε：0.001
4．示值误差：±0.02 （ε>0.50）
5．重复性：±0.01
6．样品温度：常温（特殊用户为常温～300℃）
7．样品尺寸：>Ф50
8．测量时间：3秒后按测量键E，即显示ε测量值。
9．显示方法：LED数字显示，末位0.001
10.电   源：  交流220V   50HZ

 

双波长薄层扫描仪 型号：CS930

主要配置：

本仪器光源有2个，紫外光源（200-300nm）使用重氢可见光源（370-700nm）使用无灯；要进行荧光测定时，还可以使用增设高辉度水银或氙邓，衍射光栅为1200条/mm，入口狭缝固定，出口幅宽（5挡）和高度（7挡）可以独立选择，波长范围是200-700nm电源（包括重氢灯电源，放大器电源，cpu电源）可在100V，117V200V 及240V任何一种电压使用，钨灯使用5.5V交流电AD转换能力，具有8位CPU，ROM约为26KB，数据用RAM约15KB，保留存储RAM约1KB。 
此外，在数据处理方面，分析时可进行色谱的直线扫描或锯齿扫描的选择，对分析样品可给出吸收光谱及色谱的记录，自动计算面积和打印结果。在存储方面，仪器提供1-9文件存储单元，可以存储测试条件，对样品有杂质情况下进行测定时，仪器可进行标准曲线及背景吸收的校正。
应用范围：

双波长色谱扫描仪（CS930）可对薄层色谱、凝胶电泳及纸上色谱进行快速、正确的测定。同时该仪器具有各种附件，提供了单波长及双波长的透射、反射和荧光的色谱测定以及单波长的透射、反射及荧光的光谱测定。因此它被广泛得应用在工业、农业、医药及科研的各个领域。

产品名称：现货 数显式硅酸根分析仪 产品型号：ND2012

数显式硅酸根分析仪 实验室硅酸根分析仪 型号：ND2012

ND2012型数显式硅酸根分析仪是一种可供实验室使用的水质分析仪。该仪表广泛应用于火力发电厂锅炉给水蒸气、化学除盐水及凝结水中的硅酸根 (SiO2)的含量以及半导体器件行业、化工厂、制药厂等纯水中的硅酸根含量测定。 
ND2012型数显式硅酸根分析仪主要特点： 
1：光源采用进口单色冷光源，功耗低，寿命长； 
2：光电测量系统设计有恒温系统，信号不受环境温度影响，无漂移 
3：智能延时排液 
4：智能延时标定 
  
ND2012型数显式硅酸根分析仪    
 测量范围 0~200µg/L （以SiO2计） 
 基本误差  ± 2% FS 
 耗电功率  < 80W 
 工作电源  220VAC,50HZ 
 重复性误差  < 1.5% FS 
 长期漂移   < 2% FS (24小时) 
 环境温度 10℃～40℃ 
 相对湿度 ≤85％ 
 保修期一年