高频光电导少子寿命测试仪DZ-LT-1
重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：5A～20A

高频光电导少子寿命测试仪DZ-LT-1 

1、 用途

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

高频光电导少子寿命测试仪DZ-LT-1 2、 设备组成

2.1、光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：5A～20A

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、高频源

频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W

2.3、放大器和检波器

频率响应：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。

3、测量范围

DZ-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ

晶体少子寿命测试仪型号：LT-200

LT-200数字式太阳能级硅晶体少子寿命测试仪简介 
1. 仪器应用范围及说明 
本设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，因此制样特别简便。 
昆德公司数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点： 
可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量，仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。 
1.1 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。 
1.2 液晶屏上直接显示少子寿命值，同时在线显示光电导衰退波形。 
1.3 配置的红外光源：0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体少数载流子体寿命，脉冲功率30W。 
1.4 专门为消除陷进效应增加了红外低光照。 
1.5 测量范围宽广 
测试仪可直接测量： 
a、研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω•cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。 
b、抛光面：电阻率在0.5～0.01Ω•cm范围内的硅单晶、锗单晶厚度小于1mm的抛光片。 
2. 设备技术要求及性能指标 
2.1 少子寿命测试范围：0.5μs~6000μs              
2.2 样品的电阻率范围：ρ﹥0.1Ω·cm（非回炉料）               
2.3 测试速度：1分钟/片                       
2.4 红外光源波长： 0.904～0.905μm                    
2.5 高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ 
2.6 前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ 
2.7 可测单晶尺寸：断面竖测： 
直径25mm-150mm；厚度2mm-500mm 
纵向卧测：直径5mm-20mm；长度50mm-200mm 
2.8 测量方式：采用数字示波器直接读数方式 
2.9 测试分辨率：数字存储示波器zui小分辨率0.01μs  
2.10 设备重量：20 Kg  
2.11 仪器电源：电源电压类型：单相210～230V,50Hz,带电源隔离、滤波、稳压，不能与未做保护措施的大功率、高频设备共用电源。

 晶闸管测试仪 型号：DBC-352   

结构特征  
本仪器为箱式结构，数字显示，读数直观方便。前部是面板，装有控制键、 
数字显示表和接线端子等。后盖板上装有三线电源插座和保险丝盒。(保险丝 
为0.5A/250V)。  
本仪器安放无特殊要求，但仪器外壳要可靠接地(本仪器外壳与后盖板的 
三线电源插座中点相连)，以保证仪器的测量精度和操作人员的安全。 
概述   
本仪器是晶闸管和整流管少子寿命的测试设备。适用于各种反向阻断  
型晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管及各种整流管的参数测试。本测试仪设计  
良好，结构合理，并具有数字显示，直接读取少子寿命值，自动测试，操作简  
便等特点。其技术指标符合GB4024-83标准的规定。是电力半导体器件生产厂  
zui为理想的检测设备。   
2  技术参数   
2.1 触发电流范围：0—500mA   
2.2 少子寿命测量范围：0.1—99μs   
2.3 测试分辨率：0.1µs   
2.4 重复测试频率：1Hz   
2.5 工作条件   
电源:AC 220V±10% 50HZ   
温度：0—40℃   
2.6 整机功耗：小于50VA   
2.7 整机重量：约10Kg   
2.8 整机尺寸：440×150×440mm 

产品名称：A型试片/灵敏度试片/探伤试片 产品型号：A

A型试片/灵敏度试片/探伤试片  型号：A

型灵敏度试片用于零部件的磁粉探伤，在检查中，对几何形状复杂，不同材质的工件，可以正确地选择磁化规范，并可检查探伤设备，磁粉和磁悬液的性能，在磁粉探伤操作过程中，可以避免 漏检，正确地知道探伤工作所需的电流峰值和方向，并对显示缺陷的磁场强度有所估量。A型灵敏试片是磁粉探伤工作者*的调试工具。

     特点如下：                                                    

    试片用于磁粉显示，图像直观，使用简便，对各类零件所方向的磁场，尤其检查形状复杂的零件时，表现其*的优点。

   性能规格：                                                       
    试片=1（u）适用于高灵敏度探伤，规格为（11-12）D；=2（ u）适用于中灵敏度探伤，为（8-9）D；=3（ u）适用于低灵敏度探伤，规格为（5-6）D。括号中分子为槽深，分母为试片厚度，单位为U（微米），D为工件直径。