半导体电阻率测量仪TD-SB100A/2 本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻及电阻率的测量

半导体电阻率测量仪TD-SB100A/2

由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，他们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻及电阻率的测量。可用于高校物理教育实验，对导体/半导体/金属薄膜材料的电阻 及电阻率的测试及研究。本产品的电阻测量范围可达10-6—106Ω。

半导体电阻率测量仪TD-SB100A/2（使用环境5—40℃，相对湿度<80%，供电220V  50Hz，为实验室环境使用）

TD-SB100A/2由SB118直流电压电流源、PZ158A直流数字电压表、SB120/2四探针样品测试平台三部分组成。
lSB118直流电压电流源：是一台4½位的电压源及电流源，既可输出5µV—50V，5档可调电压，基本误差为±（0.1%RD+0.02%FS）又可输出1nA—100mA，5档可调电流，基本误差为
±（0.03%RD+0.02%FS）详见本公司产品SB118。
l            PZ158A直流数字电压表：具有6½位字长，0.1μV电压分辨力的带单片危机处理技术的高精度电子测量仪器，可测量0-1000V直流电压。基本量程的基本误差为±（0.002%RD+0.0005%FS），详见本公司产品PZ158A。
l            SB120/2四探针样品测试平台：该测试平台120/1测试平台的改进型。其有底座、支架、旋动部件、样品平台、四探针及接线板等组成。由于其整个结构及旋动方式都在原SB120/1的基础上作了很大的改进，故在高校的物理实验及科学研究总为导体/半导体/金属薄膜材料的电阻和电阻率的测试、研究提供了较大的方便

四探针导体 半导体电阻率测量仪 

产品名称：微机熔点仪 产品型号： WRS-2

微机熔点仪 型号：HB-WRS-2

根据物理化学的定义，物质熔点是指该物质由固态变为液态时的温度。在有机化学领域中，熔点测定是认辩物质本性的基本手段，也是纯度测定的重要方法之一。因此，熔点仪在化学工业、医药研究中具有重要地位，是生产药物、香料、染料及其它有机晶体物质的*仪器。

HB-WRS-2型微机熔点仪采用光电检测，LCD液晶显示等技术，具有显示初熔、终熔、熔化曲线及测量结果等功能。仪器采用药典规定的毛细管作为样品管。

熔点仪测量范围：室温-300℃

温度数显小示值：0.1℃

升温素率:0.2,0.5,1.0,1.5,2.0,3.0,4.0,5.0(℃/min)

毛细管尺寸：外经￠1.4mm，内径￠1.0mm

测量示值误差：<200℃：±0.5℃

         200℃-300℃：±0.5℃

重复性：升温速度0.2℃/min时0.2℃

       升温速度1.0℃/min时0.3℃

特点：显示熔化曲线及测量结果

产品名称：植物冠层分析仪 植物冠层检测仪 产品型号：TDP-1000

植物冠层分析仪/植物冠层检测仪 型号：TDP-1000
植物冠层分析仪的功能与特点: 
植物冠层分析用途： 
可广泛应用于农业生产和农业科研，为进行冠层光能资源调查，测量植物冠层中光线的拦截，研究作物的生长发育、产量品质与光能利用间的关系，本仪器用于400nm－700nm波段内的光合有效辐射（PAR）测量、记录,测量值的单位是平方米•秒上的微摩尔（μmols-1m-2）。 

植物冠层分析仪特点： 
1.仪器将显示屏、操作按键、存储SD卡及测量探杆一体化设计，操作简单，体积小，携带方便 
2.存储介质采用SD卡，存储容量大，数据管理方便 
3.具有自动休眠功能 
4.测量方式分为自动和手动两种。自动测量时间间隔zui小1分钟，自动测量次数zui大99次，手动测量根据实际需要手动采集 
植物冠层分析仪技术参数: 
1、测量范围：0-2700μmol m-2s-1 
2、分辨率：1μmol m-2s-1 
相对差度（谱响应）：＜10%（对植冠） 
精度：<测量值的±0.5%±1个字 
准确度：<测量值的±5%±1个字（相对于NIM标准 
自动采集间隔：可选1-99分钟 
自动采集次数：1-99次 
数据存储容量：2GB（标配SD卡） 
仪器总长度：75cm 
探杆长度：50cm 
传感器数量：25个（标配） 
电源：2节5号电池 
工作环境：0°C-60°C；100%相对湿度 
稳定性：一年内变化＜±2% 

植物冠层分析仪手持机示意图：